硅基真空沉積系統已具備招標條件，項目招標人為中國科學院上海技術物理研究所，資金為國撥，出資比例為100%，資金已落實。北京國科軍友工程咨詢有限公司（招標機構）受中國科學院上海技術物理研究所（招標人）的委托，現對該項目進行國際公開招標。
1.招標產品的名稱、數量及主要技術參數
1.1貨物需求一覽表
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序號 |
貨物名稱 |
數量 |
交貨期 |
交貨地點 |
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1 |
硅基真空沉積系統 |
1套 |
獲得出口許可證和設計圖紙確認后10個月內 |
境外提供貨物的目的港：CIP上海機場 境內提供貨物的到貨地點：中國科學院上海技術物理研究所項目現場。 |
1.2主要技術參數：
*3.1.1 IV族分子束外延生長室(主生長室)： 生長高質量的硅鍺基阻擋雜質帶結構材料（如硅摻雜砷、硅摻雜鎵等。包括Si, Ge, Sn, As, Ga, B, P等各種源爐，真空泵系統，四極質譜儀，原位監控系統（RHEED系統等），和計算機控制系統（全自動生長）。
*3.1.2傳樣和預處理室，進樣室。由于本實驗系統包含分子束外延腔和若干在線分析系統。需要有統一的真空傳樣系統， 該系統同時具有不同預處理功能（如熱處理，表面鈍化處理）。
*3.1.3生長室有超高真空， 具體為系統烘烤后降到室溫，未通液氮時，生長室真空 5x10-11 torr，預處理室真空度可達到2x10-10 torr；進樣室30分鐘內可從1 atm抽到10-7 torr，最后可達到2*10-8 torr（烘烤后）
*3.1.4 襯底加熱器最高溫度可達800°C，700°C控溫精度達到±0.5°C。源爐束流穩定、可重復。顯示數值穩定，末位數漲落〈±1；擋板開啟時束流波動〈2％。
*3.1.5 IV分子束外延系統，生長高質量硅鍺基摻雜材料，及鍺硅，鍺錫等材料。用于制備3英寸材料。
1.3招標編號：1473-194356H07238。
2.對投標人的資格要求
2.1投標人應為獨立的法人機構，能夠獨立承擔民事責任，具有有效的營業執照或有效的公司注冊登記證明材料。
2.2投標人如為代理商，需提供最近時期制造商出具的授權證明。
2.3投標人須提供其開戶銀行在開標日期前三個月內開具的資信證明原件或該原件的復印件。
2.4本項目不接受聯合體投標。
2.5投標人必須向招標機構購買招標文件并進行登記才具有投標資格。
3.招標文件獲取
3.1凡有意參加投標者，請于2019年11月4日至2019年11月11日（法定公休日、法定節假日除外），每日上午09時至11時，下午02時至04時（北京時間，下同）購買招標文件。
3.2 招標文件售價：每包1000元人民幣或150美元（招標文件售后不退）。
3.3 購買招標文件地點：北京市海淀區中關村南大街31號8號樓二層210室。
3.4 可于發售期內，通過電話或郵件聯系招標代理機構咨詢購買標書事宜。
4.投標文件的遞交
4.1 投標文件遞交的截止時間（投標截止時間，下同）為2019年11月27日09時00分，地點為上海市玉田路500號15號樓111會議室。
4.2 逾期送達的或者未送達指定地點的投標文件，招標人不予受理。
5.開標
5.1 開標時間為2019年11月27日09時00分，開標地點為上海市玉田路500號15號樓111會議室。
6.發布公告的媒介
本次招標公告在中國國際招標網、機電產品招標投標電子交易平臺、中國招標投標公共服務平臺（http://www.cebpubservice.com/）上發布。
7.監督部門
中國科學院上海技術物理研究所紀檢監察審計辦公室
8.聯系方式
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招 標 人： |
中國科學院上海技術物理研究所 |
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地 址： |
上海市玉田路500號 |
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聯 系 人： |
張玉荃 |
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電 話： |
021-25051024 |
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電子郵件： |
zyq@mail.sitp.ac.cn |
