【康沃真空網(wǎng)】01超高真空常用單位
1.毫巴（mbar）來(lái)自于氣壓的單位bar，1000mbar=1bar=1*105Pa；
2.托（Torr）來(lái)自于托里拆利實(shí)驗(yàn)中的毫米汞柱（mmHg）760Torr=1atm；
3.帕（Pa）來(lái)自于國(guó)際單位制（SI），1Pa=1N/m2；
備注：Pa是國(guó)際單位制中的導(dǎo)出單位而非基本單位。
備注：1bar嚴(yán)格定義為105Pa,1atm嚴(yán)格定義為101325Pa，兩者在實(shí)際使用中基本認(rèn)為一致，但定義上有所不同。
備注：在實(shí)際使用中，由于Torr和mbar數(shù)值相近，對(duì)不要求精度時(shí)一般認(rèn)為等價(jià)。
備注：工程上經(jīng)常會(huì)使用公斤（kg/cm2）作為壓力的單位，數(shù)值上接近于105Pa。
02超高真空的定義
1.超高真空（ultra-highvacuum，UHV），一般定義為10-7-10-12mbar；
2.高真空（highvacuum，HV），一般定義為>10-7mbar；
3.極高真空（Extremehighvacuum，XHV），一般定義為<10-12mbar。
03超高真空的特點(diǎn)
01潔凈度高
高潔凈度是表面分析需要用到超高真空的根本原因。表面物理研究的往往是表面幾個(gè)原子層的物理現(xiàn)象，因此，即便是在真空條件下，氣體分子在樣品表面的吸附往往會(huì)顯著影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果。我們經(jīng)常用“壽命（lifetime）”來(lái)描述樣品表面從清潔到所受污染影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果所花費(fèi)的時(shí)間。不同樣品之間，由于對(duì)氣體分子吸附能力的不同，樣品壽命有很大差異。即使對(duì)于同種樣品，不同實(shí)驗(yàn)對(duì)于樣品壽命也會(huì)有完全不同的定義。通常來(lái)說(shuō)，表面態(tài)的壽命比體態(tài)的壽命要短得多。
表面科學(xué)中用L（Langmuir）定義樣品表面的暴露情況，1L=10-6Torr*s。我們可以看到，樣品的暴露情況和氣壓是成反比關(guān)系。所以，為了提高樣品的壽命，我們往往會(huì)盡可能地提高系統(tǒng)的真空度。
如果以室溫條件下的N2分子進(jìn)行計(jì)算，考慮所有碰撞表面的分子全部被吸附的話，在10-6Torr的真空條件下，3秒鐘會(huì)在樣品表面吸附一層分子。在科普宣傳中我們經(jīng)常以10-6Torr對(duì)應(yīng)1s單分子層覆蓋時(shí)間來(lái)描述真空的重要性，這個(gè)提法比較形象，易于理解，但從事表面研究的同學(xué)們一定不要以此作為科學(xué)研究的依據(jù)。
02平均自由程長(zhǎng)
每個(gè)氣體分子相鄰兩次碰撞的距離統(tǒng)計(jì)平均值稱為分子的平均自由程。分子平均自由程的大小和真空中分子的種類、密度和運(yùn)動(dòng)速度都有關(guān)系。在常溫下，考慮N2的話，氣體分子的平均自由程和氣壓成反比：大氣壓（105Pa）下，平均自由程為59nm，10-7Pa的平均自由程則高達(dá)59km。根據(jù)這一參數(shù)，我們可以估計(jì)磁控濺射生長(zhǎng)所需要的最低真空度。
電子平均自由程指的是電子和氣體分子連續(xù)兩次碰撞之間所走過(guò)的路程統(tǒng)計(jì)平均值（忽略電子之間的碰撞）。這一參數(shù)主要應(yīng)用于光電能譜實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)。
03絕熱性
超高真空條件下，一般忽略熱對(duì)流，主要考慮熱輻射和熱傳導(dǎo)。低溫系統(tǒng)（液氦、液氮）主要考慮阻止外界熱量的傳入。對(duì)使用液氮的系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，熱傳導(dǎo)是主要的熱量來(lái)源；對(duì)使用液氦的系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，外部熱輻射是不可忽略的，在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)要特別注意。高溫系統(tǒng)則需要考慮加熱燈絲產(chǎn)生熱輻射帶來(lái)的材料升溫放氣。高溫下熱傳導(dǎo)主要對(duì)熱偶的溫度測(cè)量產(chǎn)生影響。此外，材料被加熱到較高溫度后，自身產(chǎn)生的熱輻射也不可忽略。
04超高真空應(yīng)用領(lǐng)域
超高真空應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，這里我們列舉了和表面物理研究關(guān)系最密切的幾種，包括磁控濺射、激光脈沖沉積、分子束外延、表面分析和粒子加速器。
分子束外延和表面分析領(lǐng)域廣泛使用超高真空技術(shù)，各種類型的分子束外延設(shè)備、光電子能譜和掃描隧道顯微鏡等制備表征系統(tǒng)都在這個(gè)范圍內(nèi)工作。由于真空系統(tǒng)在系統(tǒng)建設(shè)成本中往往占據(jù)相當(dāng)大的比例，如何選擇合適的泵組并通過(guò)恰當(dāng)?shù)姆绞窖杆佾@得盡可能好的真空度，是困擾相關(guān)領(lǐng)域的普遍問(wèn)題。
粒子加速器對(duì)真空要求最為苛刻，但因?yàn)檎w系統(tǒng)造價(jià)較高，真空泵組不是成本的主要構(gòu)成，一般盡可能配置較好的真空泵，加之加速器的腔體內(nèi)一般沒有污染源，真空度通常會(huì)達(dá)到極高真空的范圍。
磁控濺射因?yàn)闄C(jī)制問(wèn)題，蒸鍍過(guò)程中產(chǎn)生的污染較大，通常不會(huì)追求特別高的真空度，一般用分子泵組即可滿足使用條件。近年來(lái)，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和研究需求的進(jìn)一步發(fā)展，磁控濺射系統(tǒng)的真空度持續(xù)提高，超高真空相關(guān)技術(shù)也在不斷進(jìn)入這一領(lǐng)域。
激光脈沖沉積（PLD）技術(shù)過(guò)去對(duì)真空度的需求介于分子束外延和磁控濺射之間，近年來(lái)由于與分子束外延（MBE）技術(shù)逐漸融合，真空度要求也在不斷提高。激光分子束外延（LMBE）就是在PLD中融入了MBE的超高真空技術(shù)。
