在半導(dǎo)體制造業(yè)中，如集成電路的生產(chǎn)過(guò)程，許多關(guān)鍵的工藝步驟都是基于真空技術(shù)的。在硅加工過(guò)程中使用真空技術(shù)有幾個(gè)原因：
■ 真空允許對(duì)條件進(jìn)行控制，因?yàn)樗懦斯杈械沫h(huán)境空氣，如反應(yīng)氣體和粉塵。
■ 真空允許硅和氧化硅的異性蝕刻，這是對(duì)硅晶片表面形成圖案的基本工藝步驟。
■ 幾種基于真空的工藝允許所有類(lèi)型的絕緣薄層和具有可控性的導(dǎo)電膜沉積在硅晶片上。
z*新研發(fā)的集成電路由固體硅制成，其z*大的特點(diǎn)是由于每個(gè)設(shè)備集成部件數(shù)量的不斷增加和圖案尺寸的不斷縮小，使得部件的性能也得到不斷的提高。在集成電路的開(kāi)發(fā)過(guò)程中，戈登·E.摩爾曾預(yù)言，自 20 世紀(jì) 60 年代起，電路性能大約每?jī)赡攴环?，這就是著名的摩爾定律 [35]。經(jīng)過(guò)了世紀(jì)之交，集成電路的z*小結(jié)構(gòu)（如微處理器和隨機(jī)存儲(chǔ)器）從1970 年的 10 μm 減少到 0.1 μm ，摩爾定律得到了充分的體現(xiàn)。在此期間，硅晶片的尺寸從 1" 直徑增加到 300 mm(~12")，提高了吞吐量并降低了成本。
通過(guò)引入300 mm 技術(shù)，所謂臨界尺寸，截止到此文本撰寫(xiě)時(shí)（即2012 年）已經(jīng)從 150 nm 縮小到 22 nm。憑借 300mm 的晶圓尺寸，生產(chǎn)技術(shù)也從開(kāi)放式盒子（圖 8.2 左側(cè)）
轉(zhuǎn)變到封閉式小環(huán)境，即：晶圓在封閉式盒子里在生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)中從一個(gè)工藝設(shè)備傳送到另一個(gè)（FOUP = 前端開(kāi)啟式晶圓傳送盒，圖 8.2，右側(cè)）
