四極桿質(zhì)譜儀探測(cè)器—連續(xù)二次電子倍增器原理
C-SEM（Figure 6.17）由內(nèi)部涂有導(dǎo)電層的玻璃管組成，該導(dǎo)電層具有高電阻和低功函數(shù)。給該導(dǎo)電層施加高壓，以使整個(gè)管長(zhǎng)度獲得均勻電壓梯度。四級(jí)桿系統(tǒng)的離子按確定路徑被發(fā)送到轉(zhuǎn)換倍增器電極，并產(chǎn)生觸發(fā)管內(nèi)電子雪崩的二次電子。在放大電壓為 2,500 V 時(shí)，獲得 106 的電流放大因子。
圖 6.17：連續(xù)二次電子倍增器 (C-SEM) 的工作原理在此處也一樣，放大率和暗電流控制信號(hào)噪音比，且 106 的z*大電流/暗電流之比是電流放大因子。得益于 C-SEM 相對(duì)于四級(jí)桿軸稍微偏移的布置，法拉第杯以及 C-SEM 可以在分析儀中彼此相鄰使用，在必要時(shí)可以從一個(gè)探測(cè)器切換到另一個(gè)探測(cè)器。
