極高真空規(guī):球柵型離子譜規(guī)簡介
球柵型離子譜規(guī)的結構如圖11-59所示。環(huán)形燈絲發(fā)射的電子射入球形柵網(wǎng)內(nèi)，在球心附近形成一負空間電荷，電離產(chǎn)生的離子也聚集在球中心附近，因此可使氣相電離離子（處于球中央負電位處）與ESD離子（柵極表面產(chǎn)生的離子）之間的能量差達30eV，而在一般B-A規(guī)中兩者的能量差僅為5eV～7eV。這么大的能量差更有利于分離開兩類離子。從球柵空間拉出的離子進入一個由兩個同心半球組成的偏轉系統(tǒng)，偏轉180°后到達收集極。偏轉系統(tǒng)可以三維聚焦，是具有高分辨率的能量分析器，能有效地將能量差達30eV的兩類離子分開，從而較徹底地去除ESD效應，同時也大大降低了X射線效應。此規(guī)的Px為2×10^-13 Pa，可測10 ^-12Pa的極高真空。
此規(guī)的特點是結構精巧，它裝在一直徑100mm的雙面法蘭上，法蘭采用鋁合金制造。陰極為Th02 -Re絲，工作溫度較低。球形柵極位于環(huán)形燈絲中央，由Pt(80%)-Ir(20%)合金網(wǎng)制成，降低了吸附效應。熱陰極球柵離子源被一鋁合金制作的半球屏與偏轉系統(tǒng)和收集極隔開，降低了熱輻射對其它電極的影響。而在熱陰極球柵離子源附近，是經(jīng)過研磨拋光成鏡面的鋁合金半球屏，它具有低的發(fā)射率，吸附輻射熱小，并有高的熱傳導率，幾乎可維持在室溫，大大降低了出氣速率。這些措施使該規(guī)本身的出氣速率小于2×10 ^-9Pa·L/s，相當于裸B-A規(guī)出氣速率(約1.3×10^ -7Pa· L/s)的1%。
當壓力為10^ -8Pa，對球柵在700V、100mA下經(jīng)1h電子轟擊除氣后，ESD效應幾乎基本消除，這說明ESD效應的根源在于柵表面存在吸附分子層。研究者還證明熱陰極的存在，并不是出氣的主要原因，而有了電子發(fā)射才會引起大的出氣，這是由于電子引起電子激勵解吸和X射線引起的光解吸所致。
球柵型離子譜規(guī)是z*近幾年來出現(xiàn)的一種z*有創(chuàng)新意義和z*具實用價值的極高真空規(guī)。
此規(guī)的特點是結構精巧，它裝在一直徑100mm的雙面法蘭上，法蘭采用鋁合金制造。陰極為Th02 -Re絲，工作溫度較低。球形柵極位于環(huán)形燈絲中央，由Pt(80%)-Ir(20%)合金網(wǎng)制成，降低了吸附效應。熱陰極球柵離子源被一鋁合金制作的半球屏與偏轉系統(tǒng)和收集極隔開，降低了熱輻射對其它電極的影響。而在熱陰極球柵離子源附近，是經(jīng)過研磨拋光成鏡面的鋁合金半球屏，它具有低的發(fā)射率，吸附輻射熱小，并有高的熱傳導率，幾乎可維持在室溫，大大降低了出氣速率。這些措施使該規(guī)本身的出氣速率小于2×10 ^-9Pa·L/s，相當于裸B-A規(guī)出氣速率(約1.3×10^ -7Pa· L/s)的1%。
當壓力為10^ -8Pa，對球柵在700V、100mA下經(jīng)1h電子轟擊除氣后，ESD效應幾乎基本消除，這說明ESD效應的根源在于柵表面存在吸附分子層。研究者還證明熱陰極的存在，并不是出氣的主要原因，而有了電子發(fā)射才會引起大的出氣，這是由于電子引起電子激勵解吸和X射線引起的光解吸所致。
球柵型離子譜規(guī)是z*近幾年來出現(xiàn)的一種z*有創(chuàng)新意義和z*具實用價值的極高真空規(guī)。
