極高真空規(guī):抑制規(guī)的簡(jiǎn)介
抑制規(guī)較B-A規(guī)改進(jìn)之處是把離子收集極移出了電離區(qū)（即移出柵極）。為了增大收集離子的效率，把絲狀收集極改為圓片狀，并用屏蔽盒將它包圍起來，在屏蔽盒內(nèi)還增加了一個(gè)抑制極，從而組成了一個(gè)新的離子收集系統(tǒng)。屏蔽盒的作用有如下幾個(gè)方面：
①屏蔽抑制極，使其不受軟X射線的直接照射；
②與柵極一起組成靜電透鏡；對(duì)正離子起加速與聚焦作用；
③阻擋大部分軟X射線，使其不能直接照射到離子收集極；
?、軐?duì)離子收集極形成靜電屏蔽，防止外界干擾，有利于小電流測(cè)量。
抑制極上加有負(fù)電壓，在離子收集極前面形成拒斥場(chǎng)，對(duì)離子收集極上發(fā)射的X射線光電子起抑制作用，使它返回收集極而不構(gòu)成剩余電流。同樣，它也能抑制屏蔽極上發(fā)射的X射線光電子，使其返回屏蔽極而不能抵達(dá)離子收集極。
基于上述改進(jìn)，抑制規(guī)保持了與B-A規(guī)相近的規(guī)管常數(shù)(0.12/Pa)。又由于軟X射線產(chǎn)生的光電子被拒斥場(chǎng)所抑制，因此大大延伸了測(cè)量下限。在1962年發(fā)明此規(guī)時(shí)，認(rèn)為已不存在X射線效應(yīng)的限制了，但后來發(fā)現(xiàn)，還存在著反射X射線，即部分反射的軟X射線打中抑制極，使抑制極發(fā)射光電子，這些光電子在電場(chǎng)作用下，加速到達(dá)離子收集極而形成一個(gè)負(fù)的剩余電流。再加上電子碰撞解吸效應(yīng)的限制，故抑制規(guī)尚不能測(cè)量低于10^ -10Pa的壓力。
抑制規(guī)的工作參數(shù)：陰極電壓Vt=25V，發(fā)射電流Ie=2mA，柵極電壓Vg=200V，抑制極電壓Vs= -450V，屏蔽極處于地電位，離子收集極經(jīng)過靜電計(jì)接地。規(guī)管常數(shù)K=0.12/Pa。
圖11-51是抑制規(guī)的抑制特性曲線，被抑制的光電流為1.5×10 ^-11A。
①屏蔽抑制極，使其不受軟X射線的直接照射；
②與柵極一起組成靜電透鏡；對(duì)正離子起加速與聚焦作用；
③阻擋大部分軟X射線，使其不能直接照射到離子收集極；
?、軐?duì)離子收集極形成靜電屏蔽，防止外界干擾，有利于小電流測(cè)量。
抑制極上加有負(fù)電壓，在離子收集極前面形成拒斥場(chǎng)，對(duì)離子收集極上發(fā)射的X射線光電子起抑制作用，使它返回收集極而不構(gòu)成剩余電流。同樣，它也能抑制屏蔽極上發(fā)射的X射線光電子，使其返回屏蔽極而不能抵達(dá)離子收集極。
基于上述改進(jìn)，抑制規(guī)保持了與B-A規(guī)相近的規(guī)管常數(shù)(0.12/Pa)。又由于軟X射線產(chǎn)生的光電子被拒斥場(chǎng)所抑制，因此大大延伸了測(cè)量下限。在1962年發(fā)明此規(guī)時(shí)，認(rèn)為已不存在X射線效應(yīng)的限制了，但后來發(fā)現(xiàn)，還存在著反射X射線，即部分反射的軟X射線打中抑制極，使抑制極發(fā)射光電子，這些光電子在電場(chǎng)作用下，加速到達(dá)離子收集極而形成一個(gè)負(fù)的剩余電流。再加上電子碰撞解吸效應(yīng)的限制，故抑制規(guī)尚不能測(cè)量低于10^ -10Pa的壓力。
抑制規(guī)的工作參數(shù)：陰極電壓Vt=25V，發(fā)射電流Ie=2mA，柵極電壓Vg=200V，抑制極電壓Vs= -450V，屏蔽極處于地電位，離子收集極經(jīng)過靜電計(jì)接地。規(guī)管常數(shù)K=0.12/Pa。
圖11-51是抑制規(guī)的抑制特性曲線，被抑制的光電流為1.5×10 ^-11A。
