采用離子束濺射技術(shù)制備銅納米顆粒薄膜。用真空泵將真空室壓力抽至12× 10 -3Pa然后將旋轉(zhuǎn)靶臺(tái)的某一靶面轉(zhuǎn)為水平,以便避開(kāi)主離子源的轟擊。將高純氬通入主離子源,待放電正常后將離子束引出。打開(kāi)擋板,離子束轟擊旋轉(zhuǎn)著的基片架上的基片, 1進(jìn)行濺射清洗。清洗時(shí)間為6min,真空室壓力為 2×10 - 2 Pa,然后關(guān)閉主源,合上擋板,再打開(kāi)副離子源。待不同的周期數(shù)便可得到不同厚度的薄膜。
鍍制的薄膜樣品為Cu/SiO2。為了使電鏡樣品的組織結(jié)構(gòu)與具有反常光吸收特性的光學(xué)樣品完全一致,都先在基片上鍍制石英膜層,然后再鍍制銅膜,以便于透射電鏡觀測(cè)時(shí)取樣。共鍍了兩種樣品。各層鍍制的時(shí)間分別為:1號(hào)樣品SiO210min,Cu30s;2號(hào)樣品SiO210min,Cu40s。