真空納米顆粒銅薄膜制備
采用離子束濺射技術(shù)制備銅納米顆粒薄膜。用真空泵將真空室壓力抽至12× 10 -3Pa然后將旋轉(zhuǎn)靶臺(tái)的某一靶面轉(zhuǎn)為水平，以便避開(kāi)主離子源的轟擊。將高純氬通入主離子源，待放電正常后將離子束引出。打開(kāi)擋板，離子束轟擊旋轉(zhuǎn)著的基片架上的基片， 1進(jìn)行濺射清洗。清洗時(shí)間為6min，真空室壓力為 2×10 - 2 Pa，然后關(guān)閉主源，合上擋板，再打開(kāi)副離子源。待不同的周期數(shù)便可得到不同厚度的薄膜。
鍍制的薄膜樣品為Cu/SiO2。為了使電鏡樣品的組織結(jié)構(gòu)與具有反常光吸收特性的光學(xué)樣品完全一致，都先在基片上鍍制石英膜層，然后再鍍制銅膜，以便于透射電鏡觀測(cè)時(shí)取樣。共鍍了兩種樣品。各層鍍制的時(shí)間分別為：1號(hào)樣品SiO210min，Cu30s;2號(hào)樣品SiO210min，Cu40s。
