物理制作：真空蒸發(fā)沉積
標(biāo)簽：
2014-09-16 閱讀
真空蒸發(fā)是制作納米半導(dǎo)體薄膜z*一般的物理方法。該法通常將真空室的極限真空抽到優(yōu)于10 -2Pa，然后采用加熱的方法將被蒸發(fā)物質(zhì)蒸發(fā)后沉積在光滑的基片上，得到相應(yīng)的納米半導(dǎo)體薄膜。真空蒸發(fā)沉積具有材料純度高、結(jié)晶度妤、粒度可控的特點(diǎn)，但技術(shù)條件高。目前，直熱式的電阻加熱蒸發(fā)源的采用已不多見，加熱方式的不斷改進(jìn)是近年來真空蒸發(fā)法得以發(fā)展和完善的主要標(biāo)志，主要的蒸發(fā)源有：電阻加熱蒸發(fā)源、高頻感應(yīng)加熱蒸發(fā)源、輻射加熱蒸發(fā)源、離子束加熱蒸發(fā)源等。
其中又以離子束加熱蒸發(fā)源較具代表性。采用離子束集中轟擊膜料的一部分并將其加熱的方法具有以下優(yōu)點(diǎn)：能量可以高度集中，使得膜料的局部表面獲得很高的溫度；能夠準(zhǔn)確而方便地控制蒸發(fā)溫度有較大的溫度調(diào)節(jié)范圍。而電阻加熱蒸發(fā)源則不具備這樣的特點(diǎn)。z*近，Raoul Weil等人采用真空蒸發(fā)技術(shù)制備了光學(xué)質(zhì)量（即具有較大的非線性光學(xué)特性）的ZnCdTe化合物納米薄膜。
