真空納米半導體薄膜制備
納米半導體薄膜的制備技術(shù)很多。理論上任何能夠制備多晶或單晶半導體薄膜的技術(shù)都可以用于納米半導體薄膜的制備，但對相應(yīng)的制備技術(shù)提出了更為嚴格的要求：①表面潔凈;②晶粒形狀及粒徑、粒度分布可控，防止粒子團聚，能更好地控制膜厚;③有較好的熱穩(wěn)定性;④易于收集，產(chǎn)率高。以晶粒形狀及粒徑、粒度分布的控制為例，常通過控制襯底生長溫度或成膜后退火溫度與時間來實現(xiàn)。當然，真空蒸發(fā)、濺射、化學氣相沉積、外延沉積、激光沉積及自組裝與分子自組裝等薄膜制備技術(shù)的提出已經(jīng)為納米半導體薄膜的研究開辟了廣闊的領(lǐng)域。
