潮喷大喷水系列无码久久精品-人妻去按摩店被黑人按中出-日本护士吞精囗交gif-色久综合网精品一区二区

真空網歡迎您!
高能同步加速器:同步加速器真空室
2014-09-07  閱讀

微信掃一掃分享

QQ掃一掃分享

微博掃一掃分享

        設計同步加速器真空室的主要參數(shù)有:孔徑、工作壓力、抽氣設備布局、輻射條件、主導磁場特性等。而這些原始數(shù)據(jù)是由加速器物理方案及技術經濟效果統(tǒng)籌考慮來確定的。
  同步加速器對真空室要求比較苛刻,有些要求還相互矛盾。通常對設計真空室提出的主要要求有:
 ?、僭诖盆F間隙中設置真空室時,應該考慮對磁場干擾z*小,一般不可超過中心磁場的1%。所以,真空室的材料應該是非磁性的,并要有低的電導率。為使渦流引起的擾動場不超過允許值,真空室的金屬部分應有良好的形狀及尺寸以利于導電。
 ?、谡婵帐移鞅谟凶銐虻膶щ娦?,以傳走入射到壁上的粒子產生的靜電荷,使表面電位近似等于地電位。
 ?、壅婵帐冶谝?,以保證充分利用磁鐵間隙及減小渦流。
  ④器壁材料在強烈電磁輻射及微粒子輻射下出氣率要小。
 ?、萜鞅诓牧显诹W虞椛湎?,機械性能、電學特性、磁特性要穩(wěn)定。
 ?、拚婵帐夜に囈唵?,檢修方便,造價要低。
  滿足上述要求z*好是薄壁波紋管狀真空室,波紋管材為lCr18Ni9Ti不銹鋼,或者電阻高的非磁性合金及鋁材。波紋管壁厚、波高、波距取決于磁場特性。波形真空室可以用不同方法成型,如機械滾壓、液壓成型、焊接成型等。
  波形真空室成功地用于能量為7GeV質子同步加速器上。此加速器真空室由112段處于磁鐵間隙中的曲線節(jié)及相同數(shù)量直線節(jié)構成。大部分曲線節(jié)是橢圓形截面,軸長分別為114m及84mm,兩端焊上法蘭,總長約2m。除橢圓管外,還有圓管,是用0.3mm不銹鋼板滾壓成型,再用接觸焊焊制。此波紋管波高3mm,波距7mm。為了消除波紋管的機械應力,曲線節(jié)在真空爐中加熱到800℃,進行真空退火。
  相似結構的真空室還用于能量76GeV的質子同步加速器中。加速器真空室共有120段,每段長約11m。曲線節(jié)是橢圓形截面焊接波紋管,軸長分別為195m及115mm,波高為5. 8mm,波距為10.8mm,壁厚為0.4mm,材料為1Cr18Ni9Ti不銹鋼。
  同步加速器橢圓形截面真空室,在靜截荷(大氣壓、安裝截荷)和動載荷(電磁鐵振動)聯(lián)合作用下,材料產生復雜的應力,又要受到渦流加熱。因而,建造這種薄壁真空室時,必須仔細核算真空室壁的持久強度及穩(wěn)定性。
高能同步加速器:同步加速器真空室
  在電子同步加速器中,加速循環(huán)頻率變?yōu)?0Hz。在此條件下,由于磁場疇變及真空室受到渦流加熱,甚至采用波紋管狀真空室也很困難了。因此,這類加速器常采用內表面為金屬的電介質材料真空室。蘇聯(lián)EP高能同步加速器:同步加速器真空室電子同步加速器便采用了這類材料。加速器每段由48個曲線節(jié)構成,其截面為橢圓形,軸長分別為120m及42mm,長為380mm。曲線節(jié)里布有金屬骨架,并有徑向切口,口寬為0.3mm—0.5mm,節(jié)距為12mm,骨架壁厚1.5mm。切口尺寸及位置的選擇需考慮對磁場影響。金屬骨架的外面是環(huán)氧樹脂粘接的玻璃纖維層,此層是在專用設備上,在150℃—160℃溫度下,經28h加熱壓制而成的。覆蓋層1mm厚便可以滿足當時氣密性要求。但是真空室運轉了四年,發(fā)現(xiàn)氣密性變差,改為氧化鋁陶瓷材料。陶瓷成分為97%A1203,1.5%SiO2,以及少量的Mn0、Mg0、Ti02。每個曲線節(jié)長350mm,兩端封接銅鎳合金管,再用等離子體焊制成大的曲線節(jié),每節(jié)長3700mm。陶瓷內壁涂有金屬層,電阻約40Ω,此電阻兼做電阻式加熱器,用于烘烤。真空室可拆卸部分,用截面直徑2mm鋁絲密封。
  同步加速器真空室很長,制造時需要分為若干段,分別時應考慮抽氣機組的布置,以改善真空室中的壓力分布。有的真空室使用嵌入式濺射離子,可以得到每米100L/s的抽速。這樣,既利用了磁極的邊緣磁場,又改善了壓力分布。
  電子貯存環(huán)(即高能電子同步加速器)由于存在較強的同步輻射,高通量光子打到真空室壁上,能量密度高達10kW/cm^2。因而,真空室必須采用水冷卻,把熱量帶走。此外,同步輻射還會使真空室壁產生激發(fā)解吸,比通常的熱解吸高得多。如束流在真空室回旋時,系統(tǒng)的壓力可升高三個數(shù)量級。
  在大型電子貯存環(huán)中,有時瞬時束流高達2000A,這種高強束流在真空室截面變化處,如波紋管、法蘭等可能產生激發(fā)式高頻寄生損失,將導致來流不穩(wěn)定及真空元件過熱。為此電子貯存環(huán)的真空室不能設計成不規(guī)則或有臺階的。真空室截面變化處要有良好的水冷。