圖形輪廓的邊壁斜度可通過選擇束入射角（有時還需旋轉(zhuǎn)工件臺）來控制。
　　
　　掩膜厚度對束有遮蔽作用。迎面的掩膜會遭到束的直接轟擊，得到脊背形直條溝槽，倘若圖形復雜，不同部位線條走向不同，其遮蔽區(qū)和迎面掩膜邊壁上的入射角則不同、造成溝槽剖面的很大差異。若同時旋轉(zhuǎn)工件臺，對不同部位掩膜遮蔽區(qū)域的作用時間相同，則可消除這種差異。
　　
　　圖形邊壁底部有時會有明顯的溝道，這主要是由于離子從邊壁反射增加了邊壁底部的通量密度引起的。
　　
　　刻蝕過程中濺射原子的角分布具有余弦特征。與離子入射角無關(guān)。被濺射出的基底材料會重新沉積到圖形邊壁上，有時能使窄槽變成“U "字形剖面。重新沉積是引起金屬氧化物器件(如MOS)產(chǎn)生漏電的主要原因。控制這種現(xiàn)象有兩種方法：一種是用圓弧形掩膜，另一種是選擇低刻蝕速率的材料做成薄掩膜。