加工質(zhì)量和加工效率是離了束刻蝕工藝的主要問題。加工效率以刻蝕速率為標(biāo)志，加工質(zhì)量則涉及到圖形輪廓、刻蝕精度、均勻性、重復(fù)性和表面損傷等問題。它們既取決于刻蝕設(shè)備（特別是離子源）的研制水平和掩膜技術(shù)，又取決于工作參數(shù)的選擇和樣品材料的性質(zhì)。
　　
　　刻蝕速率
　　
　　刻蝕速率是以單位時(shí)間內(nèi)刻蝕的深度表示的，它與濺射率、到達(dá)表面的離子通量密度及材料的原子密度有關(guān)。
　　
　　刻蝕速率與濺射率成正比。濺射率與入射離子的種類、能量、入射角度、靶材的種類、晶格結(jié)構(gòu)、表面狀態(tài)、升華熱、溫度以及殘余氣體的組分有關(guān)。離子束刻蝕通常用的入射離子能量為300eV～2000eV。入射離子的能量增大則刻蝕速度增大，但表面損傷也增大。
　　
　　刻蝕速率與束流密度成線性關(guān)系，是指束流密度和離子能量較低、濺射率不隨束流密度變化而言的。束流密度過高，可能破壞表面的某些物理化學(xué)狀態(tài)，使濺射過程復(fù)雜化，從而使刻蝕速率偏離線性關(guān)系。
　　
　　刻蝕速率與靶材的原子的密集程度成反比，即在相同的濺射率下，靶材密度越高，原子量越小，刻蝕速率就越低。表10-38給出了換算成束流密度為1mA/C㎡的氬離子束垂直入射時(shí)，各種材料的刻蝕速率實(shí)驗(yàn)值。表10-39給出了離子垂直入射材料的刻蝕速率。