分子束外延設備是在超高真空條件下，一個或多個熱分子束與晶體表面起反應而外延生長超薄單晶膜的綜合性設備。為了獲得性能良好的超薄單晶膜，應避免在生長過程中襯底表面及熱分子束受到污染，這就要求在清潔的超高真空環(huán)境下進行膜的生長，生長前的本底壓力一般地要求為10-8Pa的真空度，而且系統(tǒng)的殘余氣氛中的碳氫化合物、水、一氧化碳和二氧化碳等成分要很少。同時設備上配有各種表面分析儀器，如俄歇譜儀就要求在清潔的超高真空下工作等等。所以到目前為止，國內(nèi)外研究生產(chǎn)的分子束外延設備均都采用清潔的超高真空系統(tǒng)。
　　
　　為在分子束外延中得到清潔的超高真空環(huán)境，除對所用的不銹鋼、陶瓷等材料選擇以外，尤其應注意熱分子束源材料的純度和分子束爐的材料及其純度的選擇。