分子束外延(簡稱MBE)技術是20世紀70年代國際上迅速發(fā)展起來的一項技術。它是在真空蒸發(fā)工藝基礎上發(fā)展起來的一種外延生長單晶薄膜的方法。1969年對分子束外延進行研究主要為美國的貝爾實驗室和IBM兩家，另外英國和日本也在進行研究，我國于1975年開始進行研究。到目前為止分子束外延設備日趨完善，已由初期的較簡單的實驗設備發(fā)展到今天的具有多種功能的商品。
　　
　　分子束外延技術是在超高真空條件下，構成晶體的各個組分和摻雜原子（分子）以一定的熱運動速度、按一定的比例噴射到熱的基片上進行晶體的外延生長的方法。這個方法與其它的液相、氣相外延生長方法相比較具有如下特點：
　　
　　①它是在超高真空下進行的干式工藝。因此殘余氣體等雜質(zhì)混入少，可保持表面清潔。
　　
　　②生長速度慢(1μm/h～10μm/h)，并可以任意選擇，可以生長超薄而平整的薄膜。
　　
　　③生長溫度低(GaAS在500℃～600℃下生產(chǎn)，Si在500℃下生長)。
　　
　?、茉谏L過程中，同時可精確地控制生長層的厚度、組分和雜質(zhì)分布，生長的表面和界面有原子級的平整度，結舍適當?shù)募夹g，可生長二維和三維圖形結構。
　　
　　⑤在同一系統(tǒng)中可以原位觀察單晶薄膜的生長過程，進行結晶生長的機制分析研究，也避免了大氣污染的影響。
　　
　　因此利用這些特點，使得這一新技術得到迅速的發(fā)展，它的研究領域廣泛地涉及到半導體材料、器件、表面和界面，以及超晶格量子效應等方面，并取得了一些顯著的進展。
　　
　　分子束外延設備綜合性強、難度大，涉及到超高真空、電子光學、能譜、微弱信號檢測及精密機械加工等現(xiàn)代技術。