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真空離子鍍膜設(shè)備概述

  (1)適用范圍
  
  本標(biāo)準(zhǔn)適用于壓力在10-4Pa—10-3Pa范圍的真空離子鍍膜設(shè)備(以下簡(jiǎn)稱(chēng)設(shè)備),具體包括如下類(lèi)型:多弧離子鍍、電弧放電型真空離子鍍、空心陰極離子鍍(HCD)、射頻離子鍍(RFIP)、直流放電二極型(DCIP)、多陰極型、活性反應(yīng)蒸發(fā)鍍(ARE)、增強(qiáng)型ARE、低壓等離子體離子鍍( LFPD)、電場(chǎng)蒸發(fā)離子鍍、感應(yīng)加熱離子鍍、簇團(tuán)離子束鍍等。
  
  (2)設(shè)備主要技術(shù)參數(shù)
  
  設(shè)備主要技術(shù)參數(shù)應(yīng)符合表10-30規(guī)定

真空離子鍍膜設(shè)備概述
  
  (3)結(jié)構(gòu)要求
  
 ?、僭O(shè)備中的真空管道、靜態(tài)密封零部件(法蘭、密封圈等)的結(jié)構(gòu)型式,應(yīng)符合GB/T 6070的規(guī)定。
  
 ?、谠诘驼婵蘸透哒婵展艿郎霞?a href="http://barher.cn/hyyy/zkdm/" target="_blank" class="keylink">真空鍍膜室上應(yīng)安裝真空測(cè)量規(guī)管,分別測(cè)量各部位的真空度。當(dāng)發(fā)現(xiàn)電場(chǎng)對(duì)測(cè)量造成干擾時(shí),應(yīng)在測(cè)量口處安裝電場(chǎng)屏蔽裝置。
  
 ?、廴绻O(shè)備使用的主擴(kuò)散泵時(shí),應(yīng)在泵的進(jìn)氣口一側(cè)裝設(shè)油蒸氣捕集阱。
  
  ④設(shè)備的鍍膜室應(yīng)設(shè)有觀察窗,觀察窗上應(yīng)設(shè)有擋板裝置。觀察窗應(yīng)能觀察到沉積源的工作情況以及其他關(guān)鍵部位。
  
 ?、蓦x子鍍沉積源的設(shè)計(jì)應(yīng)盡可能提高鍍膜過(guò)程中的離化率,提高鍍膜材料的利用率,合理匹配沉積源的功率,合理布置沉積源在真空室體的位置。
  
 ?、藓侠聿贾眉訜嵫b置,一般加熱器結(jié)構(gòu)布局應(yīng)使被鍍工件溫升均勻一致。
  
 ?、吖ぜ軕?yīng)與真空室體絕緣,工件架的設(shè)計(jì)應(yīng)使工件膜層均勻。
  
 ?、嚯x子鍍膜設(shè)備一般應(yīng)具有工件負(fù)偏壓和離子轟擊電源,離子轟擊電源應(yīng)具有抑制非正常放電裝置,維持工作穩(wěn)定。
  
 ?、嵴婵帐医硬煌娢坏母鞑糠珠g的絕緣電阻值的大小,均按GB/T 11164-99中相關(guān)規(guī)定。
  
  (4)測(cè)試方法
  
  極限壓力、抽氣時(shí)間、升壓率的測(cè)試方法分別同“2.真空鍍膜設(shè)備通用條件”的相應(yīng)參數(shù)的測(cè)試方法。
標(biāo)簽: 離子鍍膜真空鍍膜  

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