等離子體化學氣相沉積有兩種:
一是等離子體增強化學氣相沉積( PECVD),二是等離子體化學氣相沉積(PCVD)它們都是20世紀70年代發(fā)展起來的工藝。其特點是:
?、俚蜏爻赡ぃ瑴囟葘绊懶?,避免了高溫成膜的晶粒粗大及膜層與基片之間生成脆相;
?、诳芍苽浜衲ぃ映煞志鶆?,針孔小、致密、內應力小,不易產(chǎn)生微裂紋;
?、鄣入x子體對基片有清洗作用,增加了膜層的附著力;
?、茉诓煌现苽涓鞣N金屬膜,非晶態(tài)無機物膜、有機物聚合膜。
等離子增強化學氣相沉積的基本原理是:將被鍍件置于低氣壓輝光放電的陰極上,通入適當氣體,在一定溫度下,利用化學反應和離子轟擊相結合的過程,在工件表面獲得涂層。如果采用TiC4、H2、N2混合氣體,在輝光放電條件下沉積氮化鈦,其沉積過程反應是:
而氣相物質吸收于工件表面并互相間反應,z*后形成固相薄膜沉積在工件表面上。
除以上的化學反應外,還有復雜的等離子體化學反應。
反應過程中的輝光放電,有兩種作用:
①放電中產(chǎn)生的離子清洗了工件表面;
?、谑构ぜ玫骄鶆蚣訜?。為沉積膜層提供一定的溫度條件。這兩種作用可提高膜層結合力,加快反應速度。
等離子體增強化學氣相沉積方式
2014-05-27 15:10:26 閱讀()
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