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真空鍍膜:CVD法制作碳化硅膜

2014-05-25 06:37:00  閱讀()

　　此裝置原理圖如圖10-30所示。采用高頻加熱，溫度可達1300℃—1800℃，膜生長速率為0.2μm/min～1.0μm/min。

真空鍍膜:CVD法制作碳化硅膜
標簽： 真空鍍膜CVD碳化硅膜  

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