1973年日本村山洋研制成了射頻放電離子鍍(RFIP)裝置，其原理圖如圖10-22所示。此裝置真空度為10-1Pa~10-2Pa，蒸鍍物質(zhì)原子離化度為10%，加熱用的頻率線圈高7cm，用3銅絲繞制，共7圈。射頻源頻率為13.56MHz或18MHz，功率1kW~2kW，直流偏壓0~1500V。

　　
　　此裝置分三個區(qū)域：以蒸發(fā)源為中心的蒸發(fā)區(qū)；以高頻線圈為中心的離化區(qū)；以基板為中心的離子加速區(qū)。三者有機(jī)地結(jié)合在一起，可以鍍金屬膜、化合物膜及合金膜。由于鍍膜時真空度較高，使鍍層針孔少、膜質(zhì)均勻致密、純度高，對制作超導(dǎo)膜及光學(xué)膜特別有利。
　　
　　射頻放電離子鍍優(yōu)點：①蒸發(fā)、離化、加速三種過程分別獨立控制，離化靠射頻激勵，而不是靠加速直流電場，基板周圍不產(chǎn)生陰極暗區(qū)。②工作壓力低，成膜質(zhì)量好。③基板溫度較低，較容易控制。其不足是：由于真空度高，繞射性較差；要求頻率源與電極之間需有匹配箱，并隨鍍膜參數(shù)變化而調(diào)節(jié)；蒸發(fā)源與頻率源之間易產(chǎn)生干擾；射頻對人體有害，需加防護(hù)。