真空離子鍍膜于1963年由D．M．Mattox提出并開始實驗。1971年Chamber等發(fā)表電子束離子鍍技術，1972年Bunshah報告了反應蒸鍍(ARE)技術，并制作出TiN及Tic超硬膜。同年Moley和Smith將空心陰極技術應用于鍍膜。20世紀80年代，國內又相繼出現(xiàn)了多弧離子鍍及電弧放電型高真空離子鍍，至此離子鍍達到工業(yè)應用的水平。
　　
　　離子鍍是在真空室中，利用氣體放電或被蒸發(fā)物質部分離化，在氣體離子或被蒸發(fā)物質離子轟擊作用的同時，將蒸發(fā)物或其反應物沉積在基片上。離子鍍把氣體輝光放電現(xiàn)象、等離子體技術與真空蒸發(fā)三者有機地結合起來，不僅明顯地改進了膜層質量，而且還擴大了薄膜應用范圍。其優(yōu)點是膜層附著力強，繞射性好，膜材廣泛等。D．M．Mattoxs*次提出離子鍍原理，如圖10-19所示。工作過程是：先將真空室抽至4×10-3Pa以上的真空度，再接通高壓電源，在蒸發(fā)源與基片間建立一個低壓氣體放電的低溫等離子區(qū)?；姌O上接上SkV直流負高壓，從而形成輝光放電陰極。負輝光區(qū)附近產(chǎn)生的惰性氣體離子進入陰極暗區(qū)被電場加速并轟擊基片表面，對其進行清洗。然后進入鍍膜過程，加熱使鍍料氣化，其原子進入等離子區(qū)，與惰性氣體離子及電子發(fā)生碰撞，少部分產(chǎn)生離化。離化后的離子及氣體離子以較高能量轟擊鍍層表面，致使膜層質量得到改善。
　　
　　離子鍍種類很多，蒸發(fā)源加熱方式有電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應加熱等。各種加熱方式的離子鍍膜裝置見表10-12。