由濺射現象發(fā)展到濺射鍍膜經歷了相當長的發(fā)展過程，早在1853年法拉第做氣體放電試驗時，就發(fā)現了放電管壁沉積金屬現象，當時只把它作為一種有害現象，研究如何避免。直到1902年Goldsrein才證明了沉積金屬是正離子轟擊陰極濺射出來的產物。大約到20世紀60年代，貝爾實驗室利用濺射方法制取了鉭膜，從而濺射膜開始應用于工業(yè)生產中，1965年IBM公司用射頻濺射方法實現了在絕緣體基片上鍍膜，同時出現了同軸圓柱磁控濺射裝置和三級濺射裝置。特別要提出的是1974年J．chapin研制成功了平面磁控濺射裝置，實現了高速低溫濺射鍍膜，使濺射鍍蔚然一新，與其它類鍍膜相比具有明顯的優(yōu)越性，它可在任何基材上沉積任何鍍材的薄膜。