真空蒸發(fā)鍍膜原理圖如圖10-1所示。


　　將膜材置于真空室中，通過(guò)蒸發(fā)源加熱使其蒸發(fā)，蒸氣的原子或分子從蒸發(fā)源表面逸出，由于空間氣體分子的平均自由程大于真空室的線性尺寸，因此很少與其它分子或原子碰撞，可直接到達(dá)被鍍的基片表面上，凝結(jié)后形成薄膜。

　　在蒸發(fā)過(guò)程中的真空條件是：真空室中由膜材蒸發(fā)出來(lái)的原子（分子）平均自由程應(yīng)大于蒸發(fā)源與基片之間的距離。