【康沃真空網】7月5日晚間，援引知情人士爆料，美國正在推動荷蘭禁止該國光刻設備制造商ASML出售相關技術給予大陸，以進一步遏止中國在半導體產業崛起！
這一次還不只最先進的設備，還包括了上一代采用DUV技術的光刻機，其制造能力最高可以生產7nm制程的芯片。
而可以制造5nm及以下制程芯片的EUV光刻機，早在兩年前，就因為美國的施壓而無法進口。
就在當天上午，中國國務院副總理劉鶴剛與美財政部長耶倫舉行視頻通話。值得注意的是，這次通話兩次提到了“全球產業鏈供應鏈穩定”，并強調要共同維護，中方還表達了對美國取消對華加征關稅和制裁、公平對待中國企業等問題的關切，并稱這次“交流富有建設性”。
據悉，美國政府的行動，早在一個多月前，美國商務部副部長唐·格雷夫 （Don Graves）訪問荷蘭時就已經開始。
在訪問行程中，格雷夫還專門拜訪了阿斯邁爾的總部，并和阿斯邁爾首席執行官彼得·溫寧克 （Peter Wennink）進行會面。
同時還有消息顯示，除了荷蘭，日本政府同樣受到了來自美國的壓力，因為日本尼康同樣掌握DUV光刻機制造能力。
針對以上的消息，美國商務部與荷蘭外交部均表示拒絕發表任何評論。同時涉及此事的ASML和尼康兩家公司，也都沒有做出實質性的回應。
消息曝出之后，阿斯邁爾的美國存托憑證跌幅一度擴大到8.3%，截止到目前已經回落至3.87%。
但如果消息屬實，這也意味著美國對中國芯片產業的全面圍堵。畢竟具備7nm以下制程芯片制造能力的EUV光刻機，早在2020年初，因為美國政府的壓力而禁止出口到中國。而目前國內目前能夠自主制造的芯片制程，還停留在28nm。
至于更先進的EUV光刻機核心技術，現在還處在實驗室的基礎研發階段，比如光刻膠原材料、EUV極紫外光源等等，何時能研發成熟投入商用，現在來看仍然是一個巨大的未知數。
也就是說，一旦荷蘭政府同意禁止出口，制程先進的高端芯片且不說，連7nm以上制程的芯片，包括大部分車規級芯片、以及一些消費類芯片，都將面臨受制于人的命運。
所以現在，有一個問題至關重要：ASML什么態度？
從曝出的消息來看，目前荷蘭政府尚未同意，對阿斯邁爾向中國出口DUV光刻機有任何額外限制行動。
與此同時，荷蘭首相馬克·呂特 （Mark Rutte）不久之前也在公開場合表示，反對改變與中國的貿易關系。
而ASML這一邊，雖然官方目前還沒有實質性的回應，但其首席執行官溫寧克也曾表明態度：反對禁止向中國出口DUV光刻機。
理由是DUV光刻機已經是一項“成熟”的芯片生產設備。
從技術獨立性上，ASML在DUV光刻機技術上底氣更足，早在2003年，阿斯邁爾就已經推出自主研發的DUV光刻機，并借此在全球芯片制造產業上成為巨頭。
而ASML的EUV技術，則與美國和英特爾牽頭成立的EUV LLC聯盟有著千絲萬縷的聯系。
所以與上次禁止出口EUV光刻機不同的是，ASML出口DUV光刻機到中國，無需美國的授權。
ASML光刻機的工作原理
ASML光刻機的簡易工作原理圖
簡單介紹一下圖中各設備的作用：
測量臺、曝光臺：承載硅片的工作臺，也就是雙工作臺。一般的光刻機需要先測量，再曝光，只需一個工作臺，而ASML有個專利，有兩個工作臺，實現測量與曝光同時進行。而本次“光刻機雙工件臺系統樣機研發”項目則是在技術上突破ASML對雙工件臺系統的技術壟斷。
激光器：也就是光源，光刻機核心設備之一。
光束矯正器：矯正光束入射方向，讓激光束盡量平行。
能量控制器：控制最終照射到硅片上的能量，曝光不足或過足都會嚴重影響成像質量。
光束形狀設置：設置光束為圓型、環型等不同形狀，不同的光束狀態有不同的光學特性。
遮光器：在不需要曝光的時候，阻止光束照射到硅片。
能量探測器：檢測光束最終入射能量是否符合曝光要求，并反饋給能量控制器進行調整。
掩模版：一塊在內部刻著線路設計圖的玻璃板，貴的要數十萬美元。
掩膜臺：承載掩模版運動的設備，運動控制精度是nm級的。
物鏡：物鏡由20多塊鏡片組成，主要作用是把掩膜版上的電路圖按比例縮小，再被激光映射的硅片上，并且物鏡還要補償各種光學誤差。技術難度就在于物鏡的設計難度大，精度的要求高。
硅片：用硅晶制成的圓片。硅片有多種尺寸，尺寸越大，產率越高。題外話，由于硅片是圓的，所以需要在硅片上剪一個缺口來確認硅片的坐標系，根據缺口的形狀不同分為兩種，分別叫flat、notch。
內部封閉框架、減振器：將工作臺與外部環境隔離，保持水平，減少外界振動干擾，并維持穩定的溫度、壓力。
國產光刻機怎么樣了
我國在光刻機方面的技術積累和人才儲備相對不足，雖無法制造高端光刻機，但可以制造一些低、中端的光刻機。
2008年起，我國開始重視光刻機的研發。為推動我國集成電路制造產業的發展，國家決定實施科技重大專項“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”項目（又稱“02專項”）。在該項目下，我國研究團隊一路攻堅克難，國產首套90納米高端光刻機已經研制成功。
2019年4月，武漢光電國家研究中心甘棕松團隊通過2束激光，在自研的光刻膠上，突破光束衍射極限的限制，并使用遠場光學的辦法，光刻出最小9納米線寬的線段。該成果一舉實現光刻機材料、軟件和零部件的三大國產化。
2020年6月，上海微電子設備有限公司透露將在2021—2022年交付首臺國產28納米工藝浸沒式光刻機。這意味著國產光刻機工藝從以前的90納米一舉突破到28納米。
雖然國產28納米光刻機與已面世的5納米頂尖制程存在較大差距，但常見的射頻芯片、藍牙芯片、功放芯片、路由器上的芯片、各種電器的驅動芯片等非核心邏輯芯片，仍采用28~90納米工藝。
在光刻工藝進入28納米以下制程之后的較長一段時間里，16納米和14納米制程的成本一度高于28納米，與摩爾定律的運行規律相反，這也使得28納米制程工藝極具性價比。在實際應用中，28納米光刻機不僅能用來生產28納米芯片，更有望通過多重曝光的方式生產14納米、10納米、7納米芯片。盡管我國自主光刻機與外國先進水平仍有不小代差，但未來可期。
