【康沃真空網(wǎng)】真空磁控濺射鍍膜特別適用于反應沉積鍍膜,實際上,這種工藝可以沉積任何氧化物、碳化物以及氮化物材料的薄膜.此外,該工藝也特別適合用于多層膜結(jié)構(gòu)的沉積,包括了光學設(shè)計、彩色膜、耐磨涂層、納米層壓板、超晶格鍍膜、絕緣膜等.早在1970年,已經(jīng)有了高質(zhì)量的光學薄膜沉積案例,開發(fā)了多種光學膜層材料.這些材料包括有透明導電材料、半導體、聚合物、氧化物、碳化物以及氮化物等,至于氟化物則多是用在蒸發(fā)鍍膜等工藝當中.
磁控濺射工藝的主要優(yōu)點是可以使用反應性或非反應性鍍膜工藝來沉積這些材料的膜層,并且可以很好地控制膜層成分、膜厚、膜厚均勻性和膜層機械性能等.該工藝具備以下特點:
1、沉積速率大.由于采用高速磁控電極,可獲得的離子流很大,有效提高了此工藝鍍膜過程的沉積速率和濺射速率.與其它濺射鍍膜工藝相比,磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大、于各類工業(yè)生產(chǎn)中得到廣泛應用.
2、功率效率高.磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓,通常為600V,因為600V的電壓剛好處在功率效率的最高有效范圍之內(nèi).
3、濺射能量低.磁控靶電壓施加較低,磁場將等離子體約束在陰極附近,可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上.
4、基片溫度低.可利用陽極導走放電時產(chǎn)生的電子,而不必借助基材支架接地來完成,可以有效減少電子轟擊基材,因而基材的溫度較低,非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜.
5、磁控濺射靶表面不均勻刻蝕.磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場不均所導致,靶的局部位置刻蝕速率較大,使靶材有效利用率較低(僅20%-30%的利用率).因此,想要提高靶材利用率,需要通過一定手段將磁場分布改變,或者利用磁鐵在陰極中移動,也可提高靶材利用率.
6、復合靶.可制作復合靶鍍合金膜,目前,采用復合磁控靶濺射工藝已成功鍍上了Ta-Ti合金、(Tb-Dy)-Fe以及Gb-Co合金膜.復合靶的結(jié)構(gòu)有四種,分別是圓塊鑲嵌靶、方塊鑲嵌靶、小方塊鑲嵌靶以及扇形鑲嵌靶,其中以扇形鑲嵌靶結(jié)構(gòu)的使用效果為佳.
7、應用范圍廣.磁控濺射工藝可沉積元素有很多,常見的有:Ag、Au、C、Co、Cu、Fe、Ge、Mo、Nb、Ni、Os、Cr、Pd、Pt、Re、Rh、Si、Ta、Ti、Zr、SiO、AlO、GaAs、U、W、SnO等.
