【康沃真空網(wǎng)】五種濺射鍍膜方法
一、不平衡磁控濺射
不平衡磁控濺射，是指陰極內(nèi)外磁極部分的磁通量不等。不平衡磁場(chǎng)的作用是捕獲從目標(biāo)表面逸出的快速移動(dòng)的二次電子。這些電子與遠(yuǎn)離靶材表面的中性氣體原子發(fā)生電離碰撞，并在襯底區(qū)域產(chǎn)生更多的離子和更多的電子，從而大大增加了襯底離子轟擊。由于不平衡磁控濺射的發(fā)展，薄膜的質(zhì)量大大提高。
二、射頻(RF)濺射
射頻濺射是利用射頻放電等離子體中的濺射靶材轟擊靶材，濺射靶材原子沉積在接地基板表面的技術(shù)。將負(fù)電位施加到放置在絕緣目標(biāo)背面的導(dǎo)體上。在輝光放電的等離子體中，當(dāng)正離子加速到導(dǎo)板時(shí)，前絕緣靶受到轟擊和濺射。濺射只能維持10-7秒，之后絕緣靶板上積累的正電子抵消了導(dǎo)體板上的負(fù)電位，從而停止了高能正離子對(duì)絕緣靶的轟擊。此時(shí)，如果電源極性接反，電子將轟擊絕緣板并在10-9秒內(nèi)中和絕緣板上的正電荷使其為零。而如果再次將電源極性接反，可產(chǎn)生10-7秒的濺射。
三、直流（DC）磁控濺射
磁控濺射鍍膜裝置在直流濺射陰極靶上加上磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)的洛倫茲力束縛和延長(zhǎng)電子在電場(chǎng)中的軌跡，增加電子與氣體原子的碰撞機(jī)會(huì)以及氣體原子的電離，增加了轟擊目標(biāo)的高能離子，減少了轟擊鍍層基板的高能電子。
四、離子束濺射
離子束濺射(IBS)是一種薄膜沉積技術(shù)，它使用離子源將濺射靶材沉積到基板上，以生產(chǎn)具有出色精度的最高質(zhì)量薄膜。與其他濺射方法相比，離子束濺射精度更高，可以準(zhǔn)確控制基板的厚度。通常由離子槍產(chǎn)生的離子束聚焦在濺射靶上，濺射靶材料最終沉積在基板上以形成薄膜。
五、反應(yīng)磁控濺射
反應(yīng)濺射是一種通過引入反應(yīng)氣體（氧氣或氮?dú)猓﹣沓练e化合物薄膜的工藝。它通常用于濺射氧化物、氮化物、碳化物和三者的混合物。
在反應(yīng)濺射過程中，反應(yīng)氣體與濺射鍍膜靶發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，隨后沉積在基板上。反應(yīng)濺射工藝的目的是制造化學(xué)計(jì)量和結(jié)構(gòu)受到嚴(yán)格控制的薄膜。通過控制惰性氣體和反應(yīng)性氣體的相對(duì)量，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)所得薄膜的組成控制。
