真空鍍膜：磁控濺射鍍膜的濺射原理以及特點
磁控濺射鍍膜－濺射原理：是加工時達到真空條件，一般控制在1.013*10-1-1.3*10-6Pa，加工室內通入Ar（氬氣），并啟動DC鍵，Ar發作電離產生氬離子，在電場效果下，電子會加快飛向陽極，在電場效果下，Ar+會加快飛向陰極的靶材，靶材粒子及二次電子被擊出，前者到達基片表面進行薄膜生長，后者被加快至陰極途中促成更多的電離。筆直方向分布的磁力線將電子約束在靶材表面附近，延長其在等離子體中的運動軌道，加速它與氣體分子磕碰和電離過程的幾率的效果。
相對蒸發鍍，磁控濺射鍍膜有如下的特點：
1、膜厚可控性和重復性好；
2、薄膜與基片的附著力強；
3、能夠制備絕大多數材料的薄膜，包含合金，化合物等；
4、膜層純度高，細密；
5、堆積速率低，設備也更復雜。
