真空鍍膜設(shè)備背壓檢漏法
背壓檢漏法是一種充壓檢漏與真空檢漏相結(jié)合的方法，真空鍍膜設(shè)備中多用于封離后的電子器件、半導體器件等密封件的無損檢漏技術(shù)中。
其檢漏過程基本上可分為充壓、凈化和檢漏三個步驟。
1、充壓過程是將被檢件在充有高壓示漏氣體的容器內(nèi)存放一定時間，如被檢件有漏孔，示漏氣體就可以通過漏孔進入被檢件的內(nèi)部，并且將隨浸泡時間的增加和充氣壓力的增高，被檢件內(nèi)部示漏氣體的分壓力也必然會逐漸升高。
2、凈化過程是采用干燥氮氣流或干燥空氣流在充壓容器外部或在其內(nèi)部噴吹被檢件。
如不具備氣源時也可使被檢件靜置，以便去除吸附在被檢件外表面上的示漏氣體。
在凈化過程中，因為有一部分氣體必然會從被檢件內(nèi)部經(jīng)漏孔流失，從而導致被檢件內(nèi)部示漏氣體的分壓力逐漸下降，而且凈化時間越長，示漏氣體的分壓降就越大。
3、檢漏過程則是將凈化后的被檢件放入真空室內(nèi)，將檢漏儀與真空室相連接后進行檢漏。
抽真空后由于壓差作用，示漏氣體即可通過漏孔從被檢件內(nèi)部流出，然后再經(jīng)過真空室進入檢漏儀，按檢漏儀的輸出指示判定漏孔的存在及其漏率的大小。
