真空鍍膜一種產(chǎn)生薄膜材料的技術(shù)。在真空室內(nèi)材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。此項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)激光唱片（光盤）上的鋁鍍膜和由掩膜在印刷電路板上鍍金屬膜。
真空鍍膜中對蒸發(fā)源的材料要求有哪些？
通常對蒸發(fā)源應(yīng)考慮蒸發(fā)源的材料和形狀，一般對蒸發(fā)源材料的要求是：
(1)熔點(diǎn)高。因?yàn)檎舭l(fā)材料的蒸發(fā)溫度(平衡蒸汽壓為1.3Pa的溫度)多數(shù)在1000~2000℃之間，因此，蒸發(fā)源材料的熔點(diǎn)應(yīng)高于此溫度。
(2)平衡蒸汽壓低。這主要是防止或減少高溫下蒸發(fā)源材料隨蒸發(fā)材料蒸發(fā)而成為雜質(zhì)，進(jìn)入蒸鍍膜層中。只有在蒸發(fā)源材料的平衡氣壓足夠低時(shí)，才能保證在蒸發(fā)時(shí)具有z*小的自蒸發(fā)量，才不致影響系統(tǒng)真空度和污染膜層，為了使蒸發(fā)源材料所蒸發(fā)的數(shù)量非常少，在選擇蒸發(fā)溫度、蒸發(fā)源材料時(shí)，應(yīng)使材料的蒸發(fā)溫度低于蒸發(fā)源材料在平衡氣壓為1.3×10-6Pa時(shí)的制備高質(zhì)量的薄膜可采用與1.3×10-3Pa所對應(yīng)的溫度。
(3)化學(xué)性能穩(wěn)定，在高溫下不應(yīng)與蒸發(fā)材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。在高溫下某些蒸發(fā)源材料，與蒸發(fā)材料之間會產(chǎn)生反應(yīng)及擴(kuò)散而形成化合物和合金。特別是形成低共熔點(diǎn)合金蒸發(fā)源容易燒斷。例如在高溫時(shí)鉭和金會形成合金，鋁、鐵、鎳、鈷也會與鎢、鉬、鉭等蒸發(fā)源材料形成合金。鎢還能與水或氧發(fā)生反應(yīng)，形成揮發(fā)性的氧化物如WO、WO2或WO3;鉬也能與水或氧反應(yīng)而形成揮發(fā)性MoO3等。因此，應(yīng)選擇不會與鍍膜材料發(fā)生反應(yīng)或形成合金的材料做該材料的蒸發(fā)源材料。
作為蒸發(fā)源的材料必須具備熔點(diǎn)高、揮發(fā)低、高溫冷卻后脆性小等性質(zhì)。常用的線狀蒸發(fā)源應(yīng)能與蒸發(fā)金屬相潤濕，熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于待鍍金屬的蒸發(fā)溫度，不與待鍍金屬發(fā)生反應(yīng)生成合金。
