來源:真空技術網
點贊
收藏
-- 分享到 --
微信掃一掃分享
QQ掃一掃分享
微博掃一掃分享
采用脈沖激光沉積方法在Si(111) 基片上制備了Mg2 Si 薄膜。研究了激光能量密度、退火氣氛及壓強、退火溫度、退火時間等工藝條件對Mg2 Si 薄膜生長的影響。用X 射線衍射儀分析了Mg2Si 薄膜的物相，用原子力顯微鏡、高分辨場發射掃描電鏡表征了薄膜的形貌。實驗結果表明: 在激光能量密度為2.36 J /cm2 ，Si(111) 基片上室溫、
合作主辦
能動傳媒 | 壓縮機網 | 西安交通大學
網絡服務 | 版權聲明 | 聯系我們 | 網站地圖
? 2001-, 版權所有 西安朗威網絡技術有限公司 陜ICP備12001613號-9
發求購
發供應
發招聘
回頂部
