電弧蒸發(fā)沉積法(Arc-evaporation deposition)是對機械工件進行耐磨處理的常用方法。但是，使用此法容易產(chǎn)生顆粒雜質(zhì)，膜層的質(zhì)量得不到保證。為了解決這個問題，納峰科技私人有限公司研究出了新的過濾陰極真空電?。‵CVA）鍍膜科技。這一專利技術(shù)不僅可以應(yīng)用于高品質(zhì)非晶四面體碳(ta-C)膜，而且還可鍍金屬、金屬氧化物等其他膜層。成品完全滿足實際生產(chǎn)中各種嚴苛的條件。

　　

　　在陰極真空電弧鍍膜過程中，陰極電弧發(fā)射等離子束（參雜了宏觀顆粒和中性原子）。電磁過濾彎管負責濾除那些不必要的宏觀顆粒和中性原子，只有那些具有一定能量的離子可以到達基片。這個特別的技術(shù)可以產(chǎn)生硬度更高，密度更大，更純凈的薄膜。用FCVA方法鍍出的薄膜：與基片結(jié)合力更高；具有良好的光學、化學、電子和機械性能；并且重復(fù)性好，完全滿足各種實際生產(chǎn)要求。

　　

　　除此之外，在鍍膜過程中，基片的表面溫度一般可以保持在70℃以下。因此，可以對塑料或橡膠進行FCVA鍍膜。與傳統(tǒng)方法（比如：化學汽相沉積法，物理汽相沉積法）不同，F(xiàn)CVA技術(shù)產(chǎn)生能量穩(wěn)定的電弧和100%純離子束流，能量可以根據(jù)不同的要求精確控制。通過這項科技我們可以生產(chǎn)獨特的ta-C膜，并可產(chǎn)生高品質(zhì)的Al2O3膜。

　　

　　FCVA技術(shù)與其他類似技術(shù)相比的5個優(yōu)點：

　　

　　1.離子束能量可調(diào)，產(chǎn)生的薄膜性質(zhì)可以選擇和微調(diào)。因此薄膜與基片的結(jié)合力更好，薄膜的各項性質(zhì)更穩(wěn)定。

　　

　　2.通過等離子掃描專利技術(shù)，鍍膜有出眾的均勻性和重復(fù)性，并且可以進行大面積鍍膜，這是其他類似技術(shù)所達不到的。

　　

　　3.FCVA技術(shù)產(chǎn)生少得多的宏觀顆粒。例如ta-C膜，相較其他類似技術(shù)的每平方厘米約103個，F(xiàn)CVA技術(shù)的鍍膜每平方厘米僅含有約1個宏觀顆粒。此類鍍膜設(shè)備已經(jīng)成功地應(yīng)用于硬盤滑動磁頭表面鍍膜及其它摩擦機械領(lǐng)域的應(yīng)用。

　　

　　4.FCVA技術(shù)還包含陽極/陰極區(qū)域復(fù)雜的電磁場設(shè)置，陰極和陽極尺寸可調(diào)，確保輸出等離子為束狀。這點對大面積高沉積率鍍膜尤為重要。

　　

　　5.FCVA技術(shù)是低溫工藝，鍍膜過程可以控制在70°C以下。鍍膜過程中既不需要高溫也不會產(chǎn)生高溫。因此可以應(yīng)用于各種低溫熔解的基材上，如：塑料，橡膠等。